ประเภทอุปกรณ์: ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เกตอิโซเลตชนิด N (N-IGBT)

ลักษณะเด่น:

• เซมิคอนดักเตอร์กำลังประสิทธิภาพสูงที่ขับเคลื่อนด้วยแรงดันไฟฟ้า

• รวมความเร็วในการสวิตช์ของ MOSFET กับความสามารถในการจ่ายกระแสของ BJT

• การสูญเสียการนำไฟฟ้าต่ำและต้องการกำลังขับต่ำ

• ความหนาแน่นของกำลังไฟฟ้าสูง, การสลับสัญญาณอย่างรวดเร็ว, และการต้านทานสัญญาณรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้าที่แข็งแกร่ง

พารามิเตอร์หลัก:

• VCES (โวลต์คอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์): ทนต่อการเสียหายสูง

• IC (กระแสไฟฟ้าขาเข้า): รองรับกระแสไฟฟ้าต่อเนื่องและกระแสสูงสุดขนาดใหญ่

• VCE(sat) (การลดแรงดันขณะเปิดวงจร): แรงดันไฟฟ้าการนำต่ำเพื่อประสิทธิภาพ

การใช้งาน:

• พลังงานหมุนเวียน: อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์, ตัวแปลงพลังงานลม

• รถยนต์ไฟฟ้า: อินเวอร์เตอร์ขับเคลื่อนมอเตอร์, เครื่องชาร์จในตัว

• การควบคุมอุตสาหกรรม: อินเวอร์เตอร์ความถี่ตัวแปร, การให้ความร้อนด้วยการเหนี่ยวนำ

• ระบบขนส่งทางราง: อินเวอร์เตอร์แรงดึง, ชุดพลังงานเสริม

• อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค: เครื่องใช้ไฟฟ้าความเร็วแปรผัน, ระบบประหยัดพลังงาน

• การป้องกันประเทศและอวกาศ: โมดูลพลังงานสำหรับระบบอาวุธ, เครื่องส่งสัญญาณเรดาร์, การจัดการพลังงานดาวเทียม, อุปกรณ์แม่เหล็กไฟฟ้า