JT450N120F2MHTE

Le N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor (N-IGBT) Construit avec une structure semi-conductrice en couches, il gère efficacement la conduction et la commutation, ce qui se traduit par une faible perte de puissance et une efficacité supérieure en matière de conversion d'énergie.

Les N-IGBT sont largement utilisés dans les systèmes d'énergie renouvelable, les véhicules électriques, l'automatisation industrielle, les transports ferroviaires et l'électronique grand public, où un rendement élevé et une gestion fiable de l'énergie sont essentiels. Leur conception avancée permet un contrôle précis, de faibles pertes de conduction et une réponse rapide aux demandes de charge variables. Dans les applications de défense, de satellite et de radar, les N-IGBT font preuve d'une fiabilité exceptionnelle dans des conditions extrêmes, garantissant une alimentation stable, une conversion efficace de l'énergie et des performances robustes pour les systèmes critiques.

Entraînements de moteur ；Servo Drives ；UPS System ；Wind Turbines

IGBT À CANAL N

Spécifications

  • Type d'appareil : N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor (N-IGBT)

  • Caractéristiques principales :

    • Semi-conducteur de puissance à haut rendement piloté par tension

    • Combine la vitesse de commutation du MOSFET avec la capacité de courant du BJT

    • Faible perte de conduction et faible besoin en puissance d'entraînement

    • Densité de puissance élevée, commutation rapide et forte résistance aux interférences électromagnétiques

  • Principaux paramètres :

    • VCES (tension collecteur-émetteur) : Tolérance élevée aux pannes

    • IC (courant collecteur) : Supporte des courants continus et de pointe importants

    • VCE(sat) (chute de tension à l'état passant) : Faible tension de conduction pour plus d'efficacité

  • Applications :

    • Énergies renouvelables : Onduleurs solaires, convertisseurs d'énergie éolienne

    • Véhicules électriques : Onduleurs pour moteurs, chargeurs embarqués

    • Contrôle industriel : Entraînements à fréquence variable, chauffage par induction

    • Transport ferroviaire : Onduleurs de traction, groupes auxiliaires de puissance

    • Électronique grand public : Appareils à vitesse variable, systèmes à haut rendement énergétique

    • Défense et aérospatiale : Modules de puissance pour systèmes d'armes, émetteurs radar, gestion de l'énergie des satellites, équipements électromagnétiques

Ic450 A
Vces1200 V
Vcesat_typ（Vge=15V）1.8V

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