IGBT DE CANAL N
JT450N120F2MHTE
O Transístor bipolar de porta isolada de canal N (N-IGBT) é um semicondutor de potência de elevado desempenho que combina a rápida velocidade de comutação e a elevada impedância de entrada de um MOSFET com a baixa tensão de saturação e a elevada capacidade de manuseamento de corrente de um transístor bipolar. Construído com uma estrutura de semicondutores em camadas, gere eficazmente a condução e a comutação, proporcionando uma baixa perda de potência e uma eficiência de conversão de energia superior.
Os N-IGBTs são amplamente utilizados em sistemas de energia renovável, veículos eléctricos, automação industrial, transporte ferroviário e eletrónica de consumo, onde a elevada eficiência e a gestão fiável da energia são fundamentais. A sua conceção avançada permite um controlo preciso, baixas perdas de condução e uma resposta rápida a exigências de carga variáveis. Em aplicações de defesa, satélites e radares, os N-IGBT demonstram uma fiabilidade excecional em condições extremas, assegurando um fornecimento de energia estável, uma conversão de energia eficiente e um desempenho robusto para sistemas de missão crítica.
Acionamentos de motor ; Acionamentos de servo ; Sistema UPS ; Turbinas eólicas
Especificações
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Tipo de dispositivo: Transístor bipolar de porta isolada de canal N (N-IGBT)
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Caraterísticas principais:
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Semicondutor de potência de alta eficiência acionado por tensão
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Combina a velocidade de comutação do MOSFET com a capacidade de corrente do BJT
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Baixa perda de condução e baixa necessidade de potência de acionamento
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Elevada densidade de potência, comutação rápida e forte resistência a EMI
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Parâmetros principais:
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VCES (tensão coletor-emissor): Elevada tolerância à rutura
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IC (Corrente do coletor): Suporta grandes correntes contínuas e de pico
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VCE(sat) (queda de tensão em estado ativo): Baixa tensão de condução para eficiência
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Aplicações:
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Energias renováveis: Inversores solares, conversores de energia eólica
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Veículos eléctricos: Inversores de acionamento do motor, carregadores de bordo
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Controlo industrial: Accionamentos de frequência variável, aquecimento por indução
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Trânsito ferroviário: Inversores de tração, unidades de potência auxiliares
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Eletrónica de consumo: Aparelhos de velocidade variável, sistemas energeticamente eficientes
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Defesa e aeroespacial: Módulos de potência para sistemas de armas, transmissores de radar, gestão de energia de satélites, equipamento eletromagnético
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| Ic | 450 A |
| Vces | 1200 V |
| Vcesat_typ(Vge=15V) | 1.8V |

