نوع الجهاز: ترانزستور ثنائي القطب معزول ثنائي القطب بقناة N (N-IGBT)

الخصائص الرئيسية:

• أشباه موصلات طاقة عالية الكفاءة مدفوعة بالجهد

• يجمع بين سرعة تبديل MOSFET مع قدرة BJT الحالية

• خسارة توصيل منخفضة ومتطلبات طاقة دفع منخفضة

• كثافة طاقة عالية، وتبديل سريع، ومقاومة قوية للتداخل الكهرومغناطيسي الكهرومغناطيسي

المعلمات الرئيسية:

• VCES (جهد المُجمِّع-الباعث): قدرة عالية على تحمل الأعطال العالية

• IC (تيار المجمع): يدعم التيارات الكبيرة المستمرة والذروية

• VCE(sat) (انخفاض الجهد على الحالة): جهد توصيل منخفض للكفاءة

التطبيقات:

• الطاقة المتجددة: محولات الطاقة الشمسية، محولات طاقة الرياح

• السيارات الكهربائية: محولات محرك المحرك، وأجهزة الشحن المدمجة

• التحكم الصناعي: محركات متغيرة التردد، تسخين بالحث الحثي

• النقل بالسكك الحديدية: محولات الجر، وحدات الطاقة المساعدة

• الإلكترونيات الاستهلاكية: الأجهزة ذات السرعات المتغيرة والأنظمة الموفرة للطاقة

• الدفاع والفضاء: وحدات الطاقة لأنظمة الأسلحة، وأجهزة إرسال الرادار، وإدارة طاقة الأقمار الصناعية، والمعدات الكهرومغناطيسية