ในการแข่งขันระดับโลกที่ทวีความรุนแรงมากขึ้นในปัจจุบัน ผลิตภัณฑ์ระดับสูง ชิป RF ได้กลายเป็นแกนหลักของระบบสื่อสารสมัยใหม่ ส่งผลโดยตรงต่อคุณภาพและประสิทธิภาพการสื่อสารของอุปกรณ์เคลื่อนที่ สถานีฐาน และแม้กระทั่งอุปกรณ์ป้องกันประเทศ อย่างไรก็ตาม วงการนี้ต้องเผชิญกับอุปสรรคทางเทคโนโลยีและความเสี่ยงด้านอุปทานมาเป็นเวลานาน ท่ามกลางสถานการณ์เช่นนี้ จีนได้ก้าวสำคัญสู่การพึ่งพาตนเองในด้านเทคโนโลยีขั้นสูง ชิป RF—Haiwei Huaxin ซึ่งเป็นบริษัทย่อยของ Haitai High-tech Holdings ได้เปิดสายการผลิตสารกัลเลียมอาร์เซไนด์อย่างเป็นทางการแล้ว ความก้าวหน้าครั้งสำคัญนี้ถือเป็นกำลังการผลิตเชิงพาณิชย์ขนาดใหญ่ครั้งแรกของจีนสำหรับสารกัลเลียมอาร์เซไนด์ ชิป RF.

สายการผลิตที่เพิ่งเปิดตัวเป็นสายการผลิตสารกึ่งตัวนำเชิงประกอบขนาด 6 นิ้วสายแรกในประเทศจีน ครอบคลุมกระบวนการวงจรขยายกำลัง 0.25μm ของสารกึ่งตัวนำแกลเลียมอาร์เซไนด์และกระบวนการวงจรรวมแบบพาสซีฟ โดยมีข้อกำหนดทางเทคนิคโดยรวมที่ถึงระดับอุตสาหกรรมในประเทศขั้นสูง สารกึ่งตัวนำเชิงประกอบ เช่น แกลเลียมอาร์เซไนด์และแกลเลียมไนไตรด์ ถือเป็น “อัญมณีแห่งวงการสารกึ่งตัวนำ”พวกเขาเป็นวัสดุที่เหมาะสมอย่างยิ่งสำหรับความถี่สูง ประสิทธิภาพสูง และเสียงรบกวนต่ำ ชิป RF, และถูกนำมาใช้อย่างแพร่หลายในด้านการสื่อสาร 5G, การสื่อสารผ่านดาวเทียม, การสื่อสารทางแสง, และภาคพลังงานใหม่ การก่อตั้งสายการผลิตของไฮเว่ยฮัวซินไม่เพียงแต่เติมเต็มช่องว่างภายในประเทศในด้านผลิตภัณฑ์ระดับสูง ชิป RF การผลิต แต่ยังให้การสนับสนุนอย่างแข็งแกร่งต่อความมั่นคงของห่วงโซ่อุปทานอุตสาหกรรมข้อมูลของประเทศ.

ความก้าวหน้าครั้งสำคัญในการผลิตชิป RF จากสารกัลเลียมอาร์เซไนด์

สายการผลิตนี้สามารถผลิตทั้งกัลเลียมไนไตรด์และชิปออปโตอิเล็กทรอนิกส์ระดับสูง สร้างรูปแบบกระบวนการที่หลากหลาย ตามความต้องการทั่วโลกสำหรับประสิทธิภาพสูง ชิป RF ยังคงเพิ่มขึ้นตั้งแต่ปี 2024 คาดว่า Haiwei Huaxin จะสามารถผลิตจำนวนมากของกัลเลียมอาร์เซไนด์รุ่นที่สอง/รุ่นที่สามที่ผลิตในประเทศจีนเป็นครั้งแรกได้ ชิป RF ภายในปี 2025, การรวมอำนาจของจีนในสินค้าหรูหรา ชิป RF ห่วงโซ่อุตสาหกรรม.

จากมุมมองระดับโลก อุตสาหกรรมสารกึ่งตัวนำเชิงประกอบกำลังมุ่งสู่ขนาดที่ใหญ่ขึ้นและการรวมระบบที่สูงขึ้น สายการผลิตขนาด 6 นิ้วของไฮเหวย ฮัวซินได้ก้าวเข้าสู่ระดับแนวหน้าในระดับสากลแล้ว ซึ่งเป็นการวางรากฐานสำหรับการมีส่วนร่วมของจีนในการแข่งขันระดับโลกใน ชิป RF ตลาด ในขณะเดียวกัน วัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม เช่น AlGaN และ GaN กำลังพัฒนาขึ้น โดยให้แบนด์วิดท์ที่กว้างขึ้นและคุณสมบัติความต้านทานการฉนวนที่สูงขึ้น วัสดุเหล่านี้คาดว่าจะเสริมเทคโนโลยีแกลเลียมอาร์เซไนด์และผลักดัน ชิป RF ไปสู่ย่านความถี่ที่สูงขึ้นและความหนาแน่นของกำลังไฟฟ้าที่มากขึ้นในอนาคต.

อิทธิพลที่เพิ่มขึ้นของจีนในตลาดชิป RF ระดับโลก

ในขณะที่บริษัทในประเทศเช่น Haiwei Huaxin ยังคงสร้างความก้าวหน้าในวัสดุ กระบวนการ และการออกแบบ ความสามารถในการวิจัยและผลิตด้วยตนเองของจีนสำหรับระดับสูง ชิป RF จะยังคงพัฒนาต่อไป สิ่งนี้จะสร้างรากฐานด้านฮาร์ดแวร์ที่มั่นคงให้กับอุตสาหกรรมการสื่อสารของจีนในการเปลี่ยนผ่านจากการ “ตามทัน” ไปสู่การ “ก้าวให้ทัน” และแม้กระทั่ง “เป็นผู้นำ” ในตลาดโลก.