در رقابت جهانی روزافزون و فزاینده‌ی امروز، رده‌بالا تراشه‌های RF به هستهٔ سیستم‌های ارتباطی مدرن تبدیل شده‌اند و مستقیماً بر کیفیت و کارایی ارتباطات دستگاه‌های همراه، ایستگاه‌های پایه و حتی تجهیزات دفاعی تأثیر می‌گذارند. با این حال، این حوزه مدت‌هاست با موانع فناوری و ریسک‌های تأمین مواجه است. در این زمینه، چین گامی کلیدی به سوی خودکفایی در فناوری‌های پیشرفته برداشته است. تراشه‌های RFشرکت های‌وی هواکسین، زیرمجموعهٔ های‌تای های‌تک هولدینگز، رسماً خط تولید آرسنیک گالیم خود را راه‌اندازی کرد. این پیشرفت، نخستین ظرفیت تولید تجاری بزرگ‌مقیاس آرسنیک گالیم در چین را رقم می‌زند. تراشه‌های RF.

خط تولید تازه‌راه‌اندازی‌شده نخستین خط تولید انبوه نیمه‌رساناهای مرکب ۶ اینچی در چین است. این خط شامل فرآیندهای مدار تقویت‌کننده توان آرسنیک گالیم با فناوری ۰.۲۵ میکرومتر و فرآیندهای مدار یکپارچه غیرفعال است و مشخصات فنی کلی آن به سطح پیشرفته صنعت داخلی رسیده است. نیمه‌رساناهای مرکب، مانند آرسنیک گالیم و نیترید گالیم، “جواهرات حوزه نیمه‌رساناها” محسوب می‌شوند. آنها مواد ایده‌آلی برای فرکانس بالا، بازده بالا و نویز پایین هستند. تراشه‌های RF, و به‌طور گسترده در ارتباطات 5G، ارتباطات ماهواره‌ای، ارتباطات نوری و بخش‌های انرژی نو مورد استفاده قرار می‌گیرند. راه‌اندازی خط تولید هایوی هواکسین نه تنها خلأ داخلی در زمینهٔ محصولات سطح بالا را پر می‌کند تراشه RF تولید، بلکه از امنیت زنجیره تأمین صنعت اطلاعات ملی نیز پشتیبانی قوی می‌کند.

پیشرفت‌های کلیدی در تولید چیپ RF آرسنیید گالیوم

این خط تولید قادر است هم نیترید گالیوم و هم تراشه‌های اپتوالکترونیک رده‌بالا را تولید کند و یک چینش فرآیند متنوع ایجاد نماید. با افزایش تقاضای جهانی برای عملکرد بالا تراشه‌های RF از سال ۲۰۲۴، پیش‌بینی می‌شود که هایوی هوانگ‌شین به تولید انبوه اولین گالیوم آرسنید نسل دوم/سوم ساخت چین دست یابد. تراشه‌های RF تا سال ۲۰۲۵، نفوذ چین در حوزه سطح بالا را بیش از پیش مستحکم می‌کند. تراشه RF زنجیره صنعت.

از منظر جهانی، صنعت نیمه‌رساناهای مرکب به سمت اندازه‌های بزرگ‌تر و یکپارچگی بالاتر حرکت می‌کند. خط تولید ۶ اینچی هایوی هواکسین اکنون به رده‌های پیشرفته بین‌المللی پیوسته و پایه‌ای برای مشارکت چین در رقابت جهانی در تراشه RF بازار. در همین حال، مواد نیمه‌رسانای نسل سوم مانند AlGaN و GaN در حال تکامل هستند و پهنای باند گسترده‌تر و مقاومت عایقی بالاتری ارائه می‌دهند. انتظار می‌رود این مواد فناوری آرسنید گالیم را تکمیل کرده و فشار وارد کنند. تراشه‌های RF به سوی فرکانس‌های بالاتر و چگالی توان بیشتر در آینده.

نفوذ روزافزون چین در بازار جهانی تراشه‌های RF

با ادامهٔ دستیابی شرکت‌های داخلی مانند هایوی هواکسین به پیشرفت‌های چشمگیر در مواد، فرآیندها و طراحی، توانمندی‌های تحقیق و تولید مستقل چین برای محصولات سطح بالا تراشه‌های RF به بهبود خود ادامه خواهد داد. این امر یک پایه سخت‌افزاری مستحکم برای صنعت ارتباطات چین فراهم می‌کند تا از “رسیدن به سطح” به “همگام شدن” و حتی “پیشگامی” در بازار جهانی گذار کند.