JT450N120F2MHTE

について Nチャンネル絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（N-IGBT） は、MOSFETの高速スイッチング速度と高入力インピーダンス、バイポーラ・トランジスタの低飽和電圧と高電流処理能力を併せ持つ高性能パワー半導体です。層構造の半導体で構成され、伝導とスイッチングを効率的に管理し、低電力損失と優れたエネルギー変換効率を実現します。.

N-IGBTは、再生可能エネルギーシステム、電気自動車、産業オートメーション、鉄道輸送、民生用電子機器など、高効率で信頼性の高い電源管理が重要な分野で広く使用されています。その高度な設計により、精密な制御、低伝導損失、負荷需要の変化への迅速な応答が可能になります。防衛、衛星、レーダー・アプリケーションでは、N-IGBTは過酷な条件下で卓越した信頼性を発揮し、安定した電力供給、効率的なエネルギー変換、ミッションクリティカルなシステムの堅牢な性能を保証します。.

モータードライブ；サーボドライブ；UPSシステム；風力タービン

NチャンネルIGBT

仕様

  • デバイスの種類 Nチャンネル絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（N-IGBT）

  • 主な特徴

    • 電圧駆動の高効率パワー半導体

    • MOSFETのスイッチング速度とBJTの電流能力を組み合わせる

    • 低い導通損失と低い駆動電力要件

    • 高電力密度、高速スイッチング、強力なEMI耐性

  • 主なパラメーター

    • VCES（コレクタ・エミッタ間電圧）： 高い絶縁破壊耐性

    • IC（コレクタ電流）： 大きな連続電流とピーク電流に対応

    • VCE(sat) (オンステート電圧降下)： 低い導通電圧による効率性

  • アプリケーション

    • 再生可能エネルギー： ソーラーインバータ、風力発電コンバータ

    • 電気自動車： モータードライブ・インバーター、車載充電器

    • 産業制御： 可変周波数ドライブ、誘導加熱

    • 鉄道輸送： トラクション・インバータ、補助動力装置

    • コンシューマー・エレクトロニクス 可変速電化製品、エネルギー効率の高いシステム

    • 防衛・航空宇宙 兵器システム用パワーモジュール、レーダー送信機、衛星エネルギー管理、電磁機器

Ic450 A
Vces1200 V
Vcesat_typ（Vge=15V）1.8V

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