{"id":1319,"date":"2025-10-07T00:07:26","date_gmt":"2025-10-07T00:07:26","guid":{"rendered":"https:\/\/www.wallisemi.com\/?p=1319"},"modified":"2025-10-08T00:08:38","modified_gmt":"2025-10-08T00:08:38","slug":"perspetiva-geral-dos-chips-rf-gnss-multibanda-de-alta-integracao-e-baixa-potencia","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.wallisemi.com\/pt\/blog\/industry-insights\/overview-of-high-integration-low-power-multi-band-gnss-rfchips\/","title":{"rendered":"Vis\u00e3o geral dos chips de RF GNSS multibanda de alta integra\u00e7\u00e3o e baixo consumo de energia"},"content":{"rendered":"<p><strong>Introdu\u00e7\u00e3o<\/strong><br>No contexto dos terminais m\u00f3veis do sistema global de navega\u00e7\u00e3o por sat\u00e9lite (GNSS) que visam a miniaturiza\u00e7\u00e3o e o baixo consumo de energia, este artigo apresenta um chip RF GNSS multibanda de alta integra\u00e7\u00e3o e baixo consumo. Fabricado com a avan\u00e7ada tecnologia SiGe BiCMOS, este chip requer apenas uma fonte de alimenta\u00e7\u00e3o de 3,3V, com uma corrente de funcionamento t\u00edpica de 35mA, reduzindo significativamente o consumo de energia do sistema. Isto torna-o ideal para aplica\u00e7\u00f5es como smartphones, dispositivos de navega\u00e7\u00e3o port\u00e1teis e muito mais.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Conce\u00e7\u00e3o e carater\u00edsticas do chip de RF<\/strong><br>Para alcan\u00e7ar um elevado desempenho e uma elevada integra\u00e7\u00e3o, o chip RF adopta uma arquitetura de recetor de convers\u00e3o \u00fanica. O n\u00facleo deste chip \u00e9 um filtro passa-banda de frequ\u00eancia interm\u00e9dia (IF) integrado de alto desempenho com uma frequ\u00eancia central de 46 MHz e uma largura de banda de 20 MHz. Al\u00e9m disso, o chip integra todos os principais m\u00f3dulos funcionais de RF, incluindo amplificadores de baixo ru\u00eddo, misturadores de supress\u00e3o de imagem, amplificadores de ganho vari\u00e1vel, sintetizadores de frequ\u00eancia e conversores anal\u00f3gico-digitais, exigindo apenas alguns componentes externos para formar uma solu\u00e7\u00e3o completa de front-end de RF.<\/p>\n\n\n\n<p>Na conce\u00e7\u00e3o espec\u00edfica do circuito, o amplificador de baixo ru\u00eddo utiliza uma estrutura CASCODE com feedback de emissor. Esta conce\u00e7\u00e3o n\u00e3o s\u00f3 atinge mais de 15 dB de ganho, como tamb\u00e9m controla o valor do ru\u00eddo para menos de 2 dB, melhorando efetivamente a sensibilidade de rece\u00e7\u00e3o. O misturador de supress\u00e3o de imagem combina a estrutura do multiplicador Gilbert e a tecnologia de correspond\u00eancia de banda larga para garantir uma excelente linearidade e capacidade de supress\u00e3o de imagem. Em particular, o filtro de frequ\u00eancia interm\u00e9dia utiliza uma estrutura RC ativa e integra um circuito de sintoniza\u00e7\u00e3o autom\u00e1tica. Isto permite-lhe compensar automaticamente as flutua\u00e7\u00f5es de desempenho causadas por varia\u00e7\u00f5es de processo e altera\u00e7\u00f5es de temperatura, assegurando a estabilidade da frequ\u00eancia central e da largura de banda do filtro.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Desempenho do chip de RF<\/strong><br>Atrav\u00e9s de testes pr\u00e1ticos, o RFchip demonstra um excelente desempenho global. O seu valor de ru\u00eddo em cascata \u00e9 inferior a 3,5dB, com ganho de canal superior a 50dB. O nivelamento dentro da banda \u00e9 superior a 2dB e a supress\u00e3o fora da banda \u00e9 superior a 25dB. Al\u00e9m disso, a sua sensibilidade de controlo autom\u00e1tico de ganho (AGC) atinge -94dBm e o ru\u00eddo de fase a um desvio de frequ\u00eancia de 10kHz \u00e9 inferior a -85dBc\/Hz. Todos estes indicadores cumprem os requisitos rigorosos para o frontend RF de receptores GNSS multimodo.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Conclus\u00e3o<\/strong><br>Em resumo, este chip de RF GNSS multibanda de alta integra\u00e7\u00e3o e baixa pot\u00eancia, com seu excelente desempenho e alto grau de integra\u00e7\u00e3o, fornece uma solu\u00e7\u00e3o de RF central ideal para a pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o de terminais de navega\u00e7\u00e3o m\u00f3vel.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>IntroductionIn the context of the global navigation satellite system (GNSS) mobile terminals aiming for miniaturization and low power consumption, this article introduces a high-integration, low-power, multi-band GNSS RFchip. Manufactured using advanced SiGe BiCMOS technology, this chip requires only a 3.3V power supply, with a typical operating current of 35mA, significantly reducing system power consumption. 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