{"id":1319,"date":"2025-10-07T00:07:26","date_gmt":"2025-10-07T00:07:26","guid":{"rendered":"https:\/\/www.wallisemi.com\/?p=1319"},"modified":"2025-10-08T00:08:38","modified_gmt":"2025-10-08T00:08:38","slug":"vision-general-de-los-rfchips-gnss-multibanda-de-alta-integracion-y-baja-potencia","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.wallisemi.com\/es\/blog\/industry-insights\/overview-of-high-integration-low-power-multi-band-gnss-rfchips\/","title":{"rendered":"Visi\u00f3n general de los chips de radiofrecuencia GNSS multibanda, de baja potencia y alta integraci\u00f3n"},"content":{"rendered":"<p><strong>Introducci\u00f3n<\/strong><br>En el contexto de los terminales m\u00f3viles del sistema mundial de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite (GNSS) que persiguen la miniaturizaci\u00f3n y el bajo consumo, este art\u00edculo presenta un RFchip GNSS multibanda de alta integraci\u00f3n y bajo consumo. Fabricado con la avanzada tecnolog\u00eda SiGe BiCMOS, este chip s\u00f3lo requiere una fuente de alimentaci\u00f3n de 3,3 V, con una corriente de funcionamiento t\u00edpica de 35 mA, lo que reduce significativamente el consumo de energ\u00eda del sistema. Esto lo hace ideal para aplicaciones como tel\u00e9fonos inteligentes, dispositivos de navegaci\u00f3n port\u00e1tiles, etc.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Dise\u00f1o y caracter\u00edsticas del RFchip<\/strong><br>Para lograr un alto rendimiento y una gran integraci\u00f3n, el RFchip adopta una arquitectura de receptor de conversi\u00f3n descendente \u00fanica. El n\u00facleo de este chip es un filtro de paso de banda de frecuencia intermedia (FI) de alto rendimiento integrado en el chip, con una frecuencia central de 46 MHz y un ancho de banda de 20 MHz. Adem\u00e1s, el chip integra todos los m\u00f3dulos funcionales clave de RF, incluidos amplificadores de bajo ruido, mezcladores de supresi\u00f3n de imagen, amplificadores de ganancia variable, sintetizadores de frecuencia y convertidores anal\u00f3gico-digitales, por lo que s\u00f3lo se necesitan unos pocos componentes externos para formar una soluci\u00f3n completa de frontend de RF.<\/p>\n\n\n\n<p>En el dise\u00f1o espec\u00edfico del circuito, el amplificador de bajo ruido utiliza una estructura CASCODE con realimentaci\u00f3n de emisor. Este dise\u00f1o no s\u00f3lo consigue m\u00e1s de 15 dB de ganancia, sino que tambi\u00e9n controla el factor de ruido por debajo de 2 dB, mejorando eficazmente la sensibilidad de recepci\u00f3n. El mezclador de supresi\u00f3n de imagen combina la estructura de multiplicador Gilbert y la tecnolog\u00eda de adaptaci\u00f3n de banda ancha para garantizar una excelente linealidad y capacidad de supresi\u00f3n de imagen. En particular, el filtro de frecuencia intermedia utiliza una estructura RC activa e integra un circuito de sintonizaci\u00f3n autom\u00e1tica. Esto le permite compensar autom\u00e1ticamente las fluctuaciones de rendimiento causadas por las variaciones del proceso y los cambios de temperatura, garantizando la estabilidad de la frecuencia central y el ancho de banda del filtro.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Rendimiento del RFchip<\/strong><br>Las pruebas pr\u00e1cticas han demostrado que el RFchip ofrece un rendimiento general excepcional. Su factor de ruido en cascada es inferior a 3,5 dB, con una ganancia de canal superior a 50 dB. La planitud dentro de banda es superior a 2dB, y la supresi\u00f3n fuera de banda es superior a 25dB. Adem\u00e1s, su sensibilidad de control autom\u00e1tico de ganancia (AGC) alcanza los -94dBm, y el ruido de fase a un desplazamiento de frecuencia de 10kHz es inferior a -85dBc\/Hz. Todos estos indicadores cumplen los estrictos requisitos para el frontend de RF de los receptores GNSS multimodo.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Conclusi\u00f3n<\/strong><br>En resumen, este RFchip GNSS multibanda de alta integraci\u00f3n y bajo consumo, con su excelente rendimiento y alto grado de integraci\u00f3n, ofrece una soluci\u00f3n de RF b\u00e1sica ideal para la pr\u00f3xima generaci\u00f3n de terminales de navegaci\u00f3n m\u00f3viles.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>IntroductionIn the context of the global navigation satellite system (GNSS) mobile terminals aiming for miniaturization and low power consumption, this article introduces a high-integration, low-power, multi-band GNSS RFchip. Manufactured using advanced SiGe BiCMOS technology, this chip requires only a 3.3V power supply, with a typical operating current of 35mA, significantly reducing system power consumption. 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